MG100HF12LEC1
производитель:
Технология Yangjie
Описание:
Транзисторы - БТИЗ - Модули C1
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
100 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
-
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3В при 15В, 100А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
-
Mfr:
Технология Yangjie
Рабочая температура:
-40°C | 125°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
NPT
Сила - Макс:
675 Вт
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
6,7 нФ при 25 В
Конфигурация:
Один переключатель
Термистор NTC:
Никакой
Введение
Переключатель 1200 v NPT модуля IGBT одиночный держатель 100 шасси a 675 w
Родственные продукты
MG300HF12TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
МГ75П12Е2
Transistors - IGBTs - Modules E2
MG150HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
МГ25П12П3
Transistors - IGBTs - Modules P3
MG150TF12E2A
Transistors - IGBTs - Modules E2
MG75UZ12MRGJ
Transistors - IGBTs - Modules GJ
МГ25П12Е1
Transistors - IGBTs - Modules E1
MG75HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
MG300HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG200HF12TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
MG300HF12TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
МГ75П12Е2 |
Transistors - IGBTs - Modules E2
|
|
|
|
MG150HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
МГ25П12П3 |
Transistors - IGBTs - Modules P3
|
|
|
|
MG150TF12E2A |
Transistors - IGBTs - Modules E2
|
|
|
|
MG75UZ12MRGJ |
Transistors - IGBTs - Modules GJ
|
|
|
|
МГ25П12Е1 |
Transistors - IGBTs - Modules E1
|
|
|
|
MG75HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
MG300HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG200HF12TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: