MG75UZ12MRGJ
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
-
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
-
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
SOT-227
Mfr:
Технология Yangjie
Тип IGBT:
-
Пакет/случай:
SOT-227-4
Входной сигнал:
Стандарт
Рабочая температура:
-
Конфигурация:
Одиночный
Термистор NTC:
Никакой
Введение
Модуль одиночное 1200 v IGBT держатель SOT-227 75 шасси a
Родственные продукты

MG300HF12TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2

МГ75П12Е2
Transistors - IGBTs - Modules E2

MG150HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1

МГ25П12П3
Transistors - IGBTs - Modules P3

MG150TF12E2A
Transistors - IGBTs - Modules E2

МГ25П12Е1
Transistors - IGBTs - Modules E1

MG75HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1

MG300HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2

MG200HF12TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2

MG400HF065TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
Изображение | Часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
MG300HF12TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
![]() |
МГ75П12Е2 |
Transistors - IGBTs - Modules E2
|
|
![]() |
MG150HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
![]() |
МГ25П12П3 |
Transistors - IGBTs - Modules P3
|
|
![]() |
MG150TF12E2A |
Transistors - IGBTs - Modules E2
|
|
![]() |
МГ25П12Е1 |
Transistors - IGBTs - Modules E1
|
|
![]() |
MG75HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
![]() |
MG300HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
![]() |
MG200HF12TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
![]() |
MG400HF065TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: