МГ75П12Е2
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
-
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,25 В при 15 В, 50 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
-
Mfr:
Технология Yangjie
Рабочая температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
442 Вт
Входной сигнал:
трехфазный выпрямитель по мостиковой схеме
Входная емкость (Cies) @ Vce:
2,6 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор с тормозом
Термистор NTC:
Да
Введение
Инвертор модуля IGBT трехфазный с тормозом 1200 v держатель 75 шасси a 442 w
Родственные продукты

MG300HF12TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2

MG150HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1

МГ25П12П3
Transistors - IGBTs - Modules P3

MG150TF12E2A
Transistors - IGBTs - Modules E2

MG75UZ12MRGJ
Transistors - IGBTs - Modules GJ

МГ25П12Е1
Transistors - IGBTs - Modules E1

MG75HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1

MG300HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2

MG200HF12TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2

MG400HF065TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
Изображение | Часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
MG300HF12TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
![]() |
MG150HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
![]() |
МГ25П12П3 |
Transistors - IGBTs - Modules P3
|
|
![]() |
MG150TF12E2A |
Transistors - IGBTs - Modules E2
|
|
![]() |
MG75UZ12MRGJ |
Transistors - IGBTs - Modules GJ
|
|
![]() |
МГ25П12Е1 |
Transistors - IGBTs - Modules E1
|
|
![]() |
MG75HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
![]() |
MG300HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
![]() |
MG200HF12TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
![]() |
MG400HF065TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: