MG1275S-BA1MM
производитель:
Littelfuse Inc.
Описание:
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 105А 630Вт S3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
105 a
Состояние продукта:
Устарелый
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
-
Пакет/случай:
Модуль С-3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1,8 В при 15 В, 75 А (тип.)
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
S3
Mfr:
Littelfuse Inc.
Рабочая температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 500
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
630 Вт
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
5,52 нФ при 25 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Никакой
Введение
Мост 1200 v модуля IGBT половинный держатель S3 105 шасси a 630 w
Родственные продукты
МГ12200Д-БН2ММ
IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3
МГ12100С-БН2ММ
IGBT MODULE 1200V 140A 450W S3
MG12600WB-BR2MM
IGBT MODULE 1200V 750A 2500W WB
MG06400D-BN4MM
IGBT MODULE 600V 400A 1250W D3
MG1240H-XBN2MM
IGBT MOD 1200V 25A 105W
MG12300D-BA1MM
IGBT MODULE 1200V 450A 1800W D3
MG1250H-XN2MM
IGBT MOD 1200V 75A 260W
MG1275W-XBN2MM
IGBT MOD 1200V 105A 348W
MG1250S-BA1MM
IGBT MODULE 1200V 80A 500W S3
MG12300D-BN3MM
IGBT MODULE 1200V 450A 1450W D3
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
МГ12200Д-БН2ММ |
IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3
|
|
|
|
МГ12100С-БН2ММ |
IGBT MODULE 1200V 140A 450W S3
|
|
|
|
MG12600WB-BR2MM |
IGBT MODULE 1200V 750A 2500W WB
|
|
|
|
MG06400D-BN4MM |
IGBT MODULE 600V 400A 1250W D3
|
|
|
|
MG1240H-XBN2MM |
IGBT MOD 1200V 25A 105W
|
|
|
|
MG12300D-BA1MM |
IGBT MODULE 1200V 450A 1800W D3
|
|
|
|
MG1250H-XN2MM |
IGBT MOD 1200V 75A 260W
|
|
|
|
MG1275W-XBN2MM |
IGBT MOD 1200V 105A 348W
|
|
|
|
MG1250S-BA1MM |
IGBT MODULE 1200V 80A 500W S3
|
|
|
|
MG12300D-BN3MM |
IGBT MODULE 1200V 450A 1450W D3
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: