VS-GB75LA60UF
производитель:
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
Описание:
БТИЗ МОД 600В 109А 447Вт SOT227
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
109 А
Состояние продукта:
Устарелый
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Трубка
Серия:
-
Пакет/случай:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2В при 15В, 35А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
600 v
Пакет прибора поставщика:
SOT-227
Mfr:
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 50
Тип IGBT:
NPT
Сила - Макс:
447 Вт
Входной сигнал:
Стандарт
Рабочая температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Конфигурация:
Одиночный
Термистор NTC:
Никакой
Низкопробный номер продукта:
ГБ75
Введение
Модуль NPT IGBT определяет 600 v держатель SOT-227 109 шасси a 447 w
Родственные продукты
ВС-40МТ120ФАПБФ
MTP - HALF BRIDGE IGBT
ВС-ГА200СА60СП
IGBT MODULE 600V 781W SOT227
VS-GT100LA120UX
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
VS-GT250SA60S
IGBT MOD 600V 380A 893W SOT227
ВС-КПВ364М4КПБФ
IGBT MODULE 600V 24A 63W IMS-2
КПВ362М4У
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
КПВ363М4К
IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2
VS-GT150TS065S
MODULES IGBT - IAP IGBT
VS-GB50LA120UX
IGBT MOD 1200V 84A 431W SOT227
VS-GB75NA60UF
IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
ВС-40МТ120ФАПБФ |
MTP - HALF BRIDGE IGBT
|
|
|
|
ВС-ГА200СА60СП |
IGBT MODULE 600V 781W SOT227
|
|
|
|
VS-GT100LA120UX |
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
|
|
|
|
VS-GT250SA60S |
IGBT MOD 600V 380A 893W SOT227
|
|
|
|
ВС-КПВ364М4КПБФ |
IGBT MODULE 600V 24A 63W IMS-2
|
|
|
|
КПВ362М4У |
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
|
|
|
|
КПВ363М4К |
IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2
|
|
|
|
VS-GT150TS065S |
MODULES IGBT - IAP IGBT
|
|
|
|
VS-GB50LA120UX |
IGBT MOD 1200V 84A 431W SOT227
|
|
|
|
VS-GB75NA60UF |
IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: