ФС25Р12В1Т7Б11БОМА1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
МОДУЛЬ IGBT LOW POWER EASY
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
25 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
EasyPACK™, ТРЕНЧСТОП™
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1,6 В при 15 В, 25 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
АГ-EASY1B
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 175°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5,6 мкА
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
20 mW
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
4,77 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
Термистор NTC:
Да
Низкопробный номер продукта:
ФС25Р12
Введение
Инвертор 1200 v 25 a диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT трехфазный держатель AG-EASY1B 20 шасси mW
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: