IFF600B12ME4B11BOSA1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
БТИЗ МОД 1200 В 600 А 20 МВт ЭКОНОМ
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
600 a
Состояние продукта:
Прерыванный на Digi-ключе
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ЭконоДУАЛ™ 3
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,1 В при 15 В, 600 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
АГ-ЭКОНОД-5
Mfr:
Технологии Infineon
Настоящий - выключение сборника (Макс):
3 мамы
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
20 mW
Входной сигнал:
Стандарт
Рабочая температура:
-40°C | 150°C
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Да
Низкопробный номер продукта:
IFF600
Введение
Модуль IGBT Траншейный полевой стоп-полумост 1200 В 600 А 20 мВт Монтаж на шасси AG-ECONOD-5
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: