APT50GF120JRD
производитель:
Технология микросхемы
Описание:
IGBT NPT КОМБИ 1200В 50А ИЗОТОП
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Трубка
Серия:
-
Пакет/случай:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,4 В при 15 В, 50 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
СОТ-227 (ИЗОТОП®)
Mfr:
Технология микросхемы
Рабочая температура:
-55°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 750
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
460 Вт
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
3,45 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одиночный
Термистор NTC:
Никакой
Низкопробный номер продукта:
APT50
Введение
Модуль одиночное 1200 v IGBT держатель SOT-227 75 шасси a 460 w (ISOTOP®)
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: