АПТГФ100А120Т3ВГ
производитель:
Microsemi Корпорация
Описание:
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 130А 657Вт SP3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
130 a
Состояние продукта:
Устарелый
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
-
Пакет/случай:
SP3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,7 В при 15 В, 100 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
SP3
Mfr:
Microsemi Корпорация
Рабочая температура:
-
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
NPT
Сила - Макс:
657 w
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
6,5 нФ при 25 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Да
Введение
Мост 1200 v NPT модуля IGBT половинный держатель SP3 130 шасси a 657 w
Родственные продукты
АПТ200GN60JDQ4G
IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
АПТГФ30TL601G
IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1
АПТГФ100А120Т3АГ
IGBT MODULE 1200V 130A 780W SP3
АПТГФ150ДА120ТГ
IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
АПТГФ150ДУ120ТГ
IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
АПТГТ200А602Г
IGBT MODULE 600V 290A 625W SP2
АПТГФ50С60Т3Г
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
АПТГФ150А120Т3ВГ
IGBT MODULE 1200V 210A 961W SP3
АПТГФ50TL60T3G
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
APT50GF60JCU2
IGBT MODULE 600V 70A 277W SOT227
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
АПТ200GN60JDQ4G |
IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
|
|
|
|
АПТГФ30TL601G |
IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1
|
|
|
|
АПТГФ100А120Т3АГ |
IGBT MODULE 1200V 130A 780W SP3
|
|
|
|
АПТГФ150ДА120ТГ |
IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
|
|
|
|
АПТГФ150ДУ120ТГ |
IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
|
|
|
|
АПТГТ200А602Г |
IGBT MODULE 600V 290A 625W SP2
|
|
|
|
АПТГФ50С60Т3Г |
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
|
|
|
|
АПТГФ150А120Т3ВГ |
IGBT MODULE 1200V 210A 961W SP3
|
|
|
|
АПТГФ50TL60T3G |
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
|
|
|
|
APT50GF60JCU2 |
IGBT MODULE 600V 70A 277W SOT227
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: