А2П75С12М3-Ф
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,3 В при 15 В, 75 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
АСЕПАК™ 2
Mfr:
STMicroelectronics
Рабочая температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 100
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
454,5 Вт
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
4,7 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
Термистор NTC:
Да
Низкопробный номер продукта:
А2П75
Введение
Инвертор 1200 v диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT трехфазный держатель ACEPACK™ 2 75 шасси a 454,5 w
Родственные продукты

А1С15С12М3-Ф
IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1

А2К35С12М3
IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2

А1П25С12М3
IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1

А2П75С12М3
IGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2

СТГЭ200Н60К
IGBT MODULE 600V 150A ISOTOP

A2U12M12W2-F2
ACEPACK 2 POWER MODULE, 3-LEVEL

А1П25С12М3-Ф
IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1

А1П35С12М3
IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1

STGE50NB60HD
IGBT MOD 600V 100A 300W ISOTOP

А1П50С65М2
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Изображение | Часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
А1С15С12М3-Ф |
IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1
|
|
![]() |
А2К35С12М3 |
IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2
|
|
![]() |
А1П25С12М3 |
IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
|
|
![]() |
А2П75С12М3 |
IGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2
|
|
![]() |
СТГЭ200Н60К |
IGBT MODULE 600V 150A ISOTOP
|
|
![]() |
A2U12M12W2-F2 |
ACEPACK 2 POWER MODULE, 3-LEVEL
|
|
![]() |
А1П25С12М3-Ф |
IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
|
|
![]() |
А1П35С12М3 |
IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1
|
|
![]() |
STGE50NB60HD |
IGBT MOD 600V 100A 300W ISOTOP
|
|
![]() |
А1П50С65М2 |
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: