ДФ100Р07В1Х5ФПБ54БПСА2
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
MOD 650V 40A 20MW IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
40 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
EasyPACK™
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1.55V @ 15V, 25A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет прибора поставщика:
Модуль
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 40
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
20 mW
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
2,8 нФ при 25 В
Конфигурация:
2 независимый
Термистор NTC:
Да
Низкопробный номер продукта:
DF100R07
Введение
Независимый 650 диафрагмы поля зрения 2 канавы модуля IGBT v 40 a модуль держателя 20 шасси mW
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: