ДДБ6U75N16W1RB11BOMA1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
MOD 1200V 69A 335W IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
69 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
EasyBRIDGE
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,15 В при 15 В, 50 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
Модуль
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 150°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
335 Вт
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
2,8 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
Термистор NTC:
Да
Низкопробный номер продукта:
DDB6U75
Введение
Инвертор 1200 v диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT трехфазный модуль держателя 69 шасси a 335 w
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: