ФП35Р12КТ4Б11БОСА1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
MOD 1200V 35A 210W IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
35 a
Состояние продукта:
Прерыванный на Digi-ключе
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
EconoPIM™ 2
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,15 В при 15 В, 35 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
Модуль
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 150°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
210 Вт
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
2 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
Термистор NTC:
Да
Низкопробный номер продукта:
ФП35Р12
Введение
Инвертор 1200 v диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT трехфазный модуль держателя 35 шасси a 210 w
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: