ФФ200Р12КС4ФОСА1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
БТИЗ МОД 1200В 275А 1400Вт
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
275 А
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,7 В при 15 В, 200 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
Модуль
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
1400 Вт
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
13 нФ при 25 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Никакой
Низкопробный номер продукта:
ФФ200Р12
Введение
Мост 1200 v половины модуля IGBT модуль 1400 держателя 275 шасси a w
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: