APTCV60TLM99T3G
производитель:
Технология микросхемы
Описание:
МОДУЛЬ 600V 50A 90W SP3 IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
50 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
-
Пакет/случай:
SP3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 30A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
600 v
Пакет прибора поставщика:
SP3
Mfr:
Технология микросхемы
Рабочая температура:
-40°C | 175°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
90 w
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
1,6 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехуровневый инвертор - IGBT, FET
Термистор NTC:
Да
Низкопробный номер продукта:
АПТСВ60
Введение
Инвертор диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT трехуровневый - IGBT, FET 600 v держатель SP3 50 шасси a 90 w
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: