ФФ200Р17КЭ3С4ХОСА1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
МОДУЛЬ VCES 1200V 200A IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
310 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
C
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 200A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1700 v
Пакет прибора поставщика:
Модуль
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 125°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
3 мамы
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
W 1250
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
18 nF @ 25 v
Конфигурация:
Половинный инвертор моста
Термистор NTC:
Никакой
Низкопробный номер продукта:
FF200R17
Введение
Инвертор 1700 v моста половины диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT модуль 1250 держателя 310 шасси a w
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: