ФЗ1200Р45КЛ3Б5НОСА1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
МОДУЛЬ 4500V 1200A IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
A 1200
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.85V @ 15V, 1200A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
4500 v
Пакет прибора поставщика:
Модуль
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-50°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
13500 Вт
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
280 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одиночный
Термистор NTC:
Никакой
Низкопробный номер продукта:
ФЗ1200
Введение
Модуль одиночное 4500 v IGBT 1200 модулей держателя шасси a 13500 w
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: